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Si5480DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 10 thr u 5 V
30
24
1 8
12
4 V
24
1 8
12
T C = 125 °C
6
2 V
3 V
6
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.030
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.026
1500
C iss
1200
0.022
V GS = 4.5 V
900
0.01 8
600
0.014
0.010
V GS = 10 V
300
0
C rss
C oss
0
6
12
1 8
24
30
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10.7 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 7.2 A
1.4
6
4
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.2
1.0
0. 8
2
0.6
0
0.4
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73585
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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